L’obiettivo del sottotema 3 (BB) consiste nello sviluppo ed ottimizzazione di tecnologie per la fabbricazione di rivelatori a pixel su GaAs e di "bump bonding" per il collegamento elettrico di tali rivelatori alla elettronica di controllo realizzata su silicio, in modo da permettere la produzione di sistemi integrati per imaging mammografico. Il sottotema BB si articolerà nelle seguenti linee:
1) messa a punto di una tecnologia di validità industriale, per la fabbricazione di rivelatori su GaAs per la rivelazione di raggi-X con prestazioni adeguate alle specifiche determinate dal sistema di rivelazione digitale da realizzare nel sottotema MMI
2) sviluppo di un processo tecnologico per interconnessioni elettriche di tipo "bump-bonding" tra matrici di pixel su GaAs ed elettronica esterna su silicio.
Obiettivi delle linee di ricerca in cui si articola il sottotema:
3.1 Tecnologia di fabbricazione per rivelatori su GaAs consiste nello sviluppo di un processo tecnologico, di validita' industriale, per la fabbricazione di rivelatori di raggi-X su GaAs
3.2 Sviluppo ed applicazioni di Bump Bonding consiste nello sviluppo di un processo tecnologico che permetta di realizzare connessioni elettriche tra matrici di pixel su GaAs ed elettronica esterna con elevato grado di resa e riproducibilita'